High-frequency characterization of thermionic charge transport in silicon-on-insulator nanowire transistors - Physique Mésoscopique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2014

Dates et versions

hal-01310651 , version 1 (02-05-2016)

Identifiants

Citer

A. C. Betz, S. Barraud, Q. Wilmart, B. Plaçais, X. Jehl, et al.. High-frequency characterization of thermionic charge transport in silicon-on-insulator nanowire transistors. Applied Physics Letters, 2014, 104 (4), pp.043106. ⟨10.1063/1.4863538⟩. ⟨hal-01310651⟩
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