Etude de l'intégration de transistors à canal en graphène épitaxié par une technologie compatible CMOS - TEL - Thèses en ligne Accéder directement au contenu
Thèse Année : 2011

Technological integration of graphene transistors

Etude de l'intégration de transistors à canal en graphène épitaxié par une technologie compatible CMOS

Résumé

Graphene consists of a single atoms plane reorganized in honeycomb lattice. Ideal graphene has astonishing properties coming from his electronic structure in Dirac cone. One of these properties is an exceptional mobility indispensable for future transistors. In this work, our objective is to evaluate properties and performance of transistors based on graphene. These transistors are fabricated by using a CMOS-like integration. Since 2004, graphene can be obtained via sublimation of silicon carbide substrate. We used this technique to study graphene. We will present a particular method to enumerate the number of layer obtained in surface and the integration choosen to obtain short and thin transistors. We will show electrical characteristic obtained. The charge carrier mobility measured is similar to the state of the art. An analysis of the gate dielectric is also presented.
Le graphène est un plan unique d'atomes de carbone formant une structure en nid d'abeilles. Dans le cas idéal, le graphène possède des propriétés physiques étonnantes résultant de sa structure électronique en « cône de Dirac ». En particulier, la mobilité électronique dans le graphène est exceptionnelle ce qui ouvre des perspectives pour les transistors futurs. Dans cette thèse notre objectif est de tester les propriétés et les performances de transistors réalisés sur graphène à l'aide d'une technologie compatible CMOS. Depuis 2004, il est connu qu'on peut obtenir ce matériau bidimensionnel à partir de la graphitisation du carbure de silicium (SiC). C'est cette technique qui a été utilisée ici. Parmi les résultats obtenus, nous présenterons en particulier une méthode innovante pour déterminer le nombre de couches de graphène. Nous détaillerons la technologie d'intégration mise au point, avec la réalisation de transistors à canal court et étroit. Nous montrerons les caractéristiques obtenues. La mobilité électronique mesurée est à l’état de l’art international. Nous analyserons également le rôle du diélectrique de grille sur la qualité des performances.
Fichier principal
Vignette du fichier
24268_CLAVEL_2011_archivage1.pdf (10.42 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Version validée par le jury (STAR)
Loading...

Dates et versions

tel-00721765 , version 1 (30-07-2012)

Identifiants

  • HAL Id : tel-00721765 , version 1

Citer

Milène Clavel. Etude de l'intégration de transistors à canal en graphène épitaxié par une technologie compatible CMOS. Autre. Université de Grenoble, 2011. Français. ⟨NNT : 2011GRENT097⟩. ⟨tel-00721765⟩

Collections

UGA CNRS STAR
301 Consultations
675 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More