57 II.3.1.Charges QDG de la capacité de réaction, p.61 ,
65 II.4.1.Modèle final pour, p.68 ,
73 II.6.2.Systèmes de mesure 73 II.6.2.I.Banc de mesure pour des essais en commutationMesure de la tension de seuil V Tv de la zone intercellulaire à l'aide du pont HP4194A, p.81 ,
108 111.2.3.2. Capacités non linéaires, p.117 ,
Contrôle des charges dans les dispositifs de l'électronique, 1992. ,
Le transistor VDMOS en régime de quasi-saturation: étude analytique et modélisation» A, Journal de Physique III France, vol.7, issue.1, 1997. ,
Simple method for the extraction of power VDMOS transistor parameters ,
Self-Aligned Power MOSFET Structure Fabricated Using Sacrificial Spacer Tec hnologie ,