I. 3. Modele, . De, . De-l-'electrode, C. De-grille, .. D>v-g-v-fbv et al., 57 II.3.1.Charges QDG de la capacité de réaction, p.61

I. 4. Influence, . Courant, . Id, . La, . Des et al., 65 II.4.1.Modèle final pour, p.68

I. 6. Mesures and .. Extraction-des-p-arametres, 73 II.6.2.Systèmes de mesure 73 II.6.2.I.Banc de mesure pour des essais en commutationMesure de la tension de seuil V Tv de la zone intercellulaire à l'aide du pont HP4194A, p.81

.. Implantation-du-nouveau-modèle-proposé-dans-pspice, 108 111.2.3.2. Capacités non linéaires, p.117

J. De-puissance», J. M. Arnould, and D. Li, Contrôle des charges dans les dispositifs de l'électronique, 1992.

M. K. Guerin, M. El-cheikh, and . Tholomier, Le transistor VDMOS en régime de quasi-saturation: étude analytique et modélisation» A, Journal de Physique III France, vol.7, issue.1, 1997.

. Pri-]-«, Simple method for the extraction of power VDMOS transistor parameters

[. High-density, Self-Aligned Power MOSFET Structure Fabricated Using Sacrificial Spacer Tec hnologie