Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS - Archive ouverte HAL Access content directly
Theses Year : 2012

Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node

Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

Abstract

This study deals with the hybrid integration of Single Electron Transistors (SET) on a CMOS technology node. SET devices present high potentiels, particularly in terms of energy efficiency, but can't completely replace CMOS in electrical circuits. However, SETs and CMOS devices combination can solve this issue, opening the way toward very low operating power circuits, and high integration density. This thesis proposes itself to use for Back-End-Of-Line (BEOL) SETs realization, meaning in the oxide encapsulating CMOS, the nanodamascene fabrication process devised by C. Dubuc.
Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d’économies d’énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans les circuits électriques. Cependant, la combinaison des composants SETs et MOS permet de pallier à ce problème, ouvrant la voie à des circuits à très faible puissance dissipée, et à haute densité d’intégration. Cette thèse se propose d’employer pour la réalisation de SETs dans le back-end-of-line (BEOL), c'est-à-dire dans l’oxyde encapsulant les CMOS, le procédé de fabrication nanodamascène, mis au point par C. Dubuc.
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Dates and versions

tel-00863770 , version 1 (19-09-2013)

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  • HAL Id : tel-00863770 , version 1

Cite

Nicolas Jouvet. Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS. Autre. INSA de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2012. Français. ⟨NNT : 2012ISAL0114⟩. ⟨tel-00863770⟩
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