B. Engel, E. Levine, J. Petrus, and A. Shore, The art of cross sectioning, pp.474-493

H. Christopher and L. , education and training for the analyst, pp.718-722

S. Perungulam and K. S. Wills, Chip access techniques, pp.313-323

R. Richard and J. , Management principles and practices for the failure analysis laboratory, pp.731-740

K. S. Wills and S. Perungulam, delayering techniques: dry processes, wet chemical processing and parallel lapping, pp.445-464

S. Adachi, Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors, 1999.
DOI : 10.1007/978-1-4615-5247-5

F. Allanic, Maitrise des procédés de préparation d'échantillon par faisceau d'ions focalisés dans un Dual Beam?, 2008.

A. Aubert, Mise en place de nouveaux outils de préparation d'échantillon appliqués aux analyses technologiques et de défaillances, Mémoire diplôme de recherche technologique, 2008.

F. Beaudoin, P. Perdu, C. Denardi, R. Desplats, J. Lopez et al., Silicon thinning using ultra-short pulse laser ablation, Proceedings from the 30 th ISTFA, pp.552-557, 2004.

F. Beck, Integrated circuit failure analysis : a guide to preparation techniques Wiley [CON12] www.controlsystemation.com, distributeur d'équipements laser [CRY12] www.crystec.com, distributeur d'équipements pour l'industrie du semi- conducteur [DIG12] Société Digitconcept, Obein M., Beauquis F., conversation et échange de documents au cours de la thèse Plasma etching-an essential tool for failure analysis, 1998.

D. Eon, Gravure et traitement par plasma de matériaux organosilicé SiOC(H) pour des applications en lithographie avancée et comme isolant d'interconnexion en microélectronique, 2004.

P. Jacobs, M. Huettinger, U. Papenberg, J. Touzel, A. Janeiro et al., Power electronic device failure analysis roadmap Back side die preparation for check of backend related problems, pp.2011356-360, 2006.

I. Zsolt, Laser processing for microelectronics packaging applications, Microelectronics Reliability, vol.41, issue.4, 2001.

W. Kern, J. L. Vossen, M. Kyocera-[-kru03-]-krüger, J. Krinke, K. Ritter et al., Thin film processes Elsevier science & technology books, dec 1978 laser-assisted decapsulation of plastic-encapsulated devices Laser decapsulation of electronic packages Advanced machining group, process technology Division, Microelectronics Reliability, pp.1827-1831, 2000.

L. Silke, Failure analysis from the backside of a dietechnical_information [NIS12] Nisene technology group, " process development Handbook of Optical Constants of Solids, Microelectronics Reliability, vol.413, pp.1193-1201, 1998.

P. Eric, B. Parañal-]-p, . Perdu, R. Desplats, and F. Beaudouin, Localized die metallization damage induced during laser marking of a semiconductor package Novembre 4-8 2007 ; McEnery Convention center A review of sample backside preparation techniques for VLSI Semiconductor reliability Handbook, Proceedings of the 33rd International Symposium for testing and failure analysis, pp.1431-1436, 2000.

. Sony, Sony Semiconductor Quality and Reliability HandBook, 2011.

J. Zhou, W. Zheng, and T. Lee, Fine MCP decapsulation technology development, Proceedings of the 32nd ISTFA, 2006.

J. Ackaert, Z. Wang, E. De-backer, and P. Coppens, Plasma damage in floating metal-insulator-metal capacitors, Proceedings of the 2001 8th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. IPFA 2001 (Cat. No.01TH8548), 2001.
DOI : 10.1109/IPFA.2001.941491

URL : http://eprints.eemcs.utwente.nl/15625/01/wang_ipfa.pdf

A. Aubert, A. Aubert, L. Dantas-de-morais, and J. P. Rebrassé, Mise en place de nouveaux outils de préparation d'échantillon appliqués aux analyses technologiques et de défaillances Laser decapsulation of plastic packages for failure analysis : Process control and artefact investigations, Mémoire diplôme de recherche technologique, pp.8-91144, 2008.

A. Aubert, J. P. Rebrasse, L. Dantas-de-morais, N. Labat, H. Fremont et al., Experimental power cycling on insulated TRIAC package: Reliability interpretation thanks to an innovative failure analysis flow Plasma etching of organic low-dielectric-constant polymers: comparative analysis Integrated circuit failure analysis : a guide to preparation techniques Etude expérimentale et numérique des phénomènes de fissuration dans les interconnexions de la microélectronique Selected failure mechanism of modern power modules Localisation de défauts par stimulation thermique laser et par emission conversation et échange de documents [DUL96] Dulski T A manual for the chemical analysis of metalswww.gamry.com/assets/Application-Notes/Basics-of-EIS.pdf, site de la société américaine Gamry Instruments, fabricant d'équipements pour mesures électrochimiques Charging damage in metal oxide metal capacitors " , 3 rd symposium on plasma process-induced damage Fast power cycling test for IGBT modules in traction application Charge transfer reaction at the lithium phosphorus oxynitride glass electrolyte/lithium cobalt oxide thin film interface Etude de la fatigue thermomécanique des composants de puissance de type TRIAC soumis à des cycles actifs de température " , mémoire de thèse, université François Rabelais de Tours Spectroscopie d'impédance électrochimique locale : caractérisation de la délamination des peintures et de la corrosion des alliages Al-Cu Fundamentals of battery dynamics laser-assisted decapsulation of plastic-encapsulated devices Microbatteries : microsources d'énergie en couches minces Reliability of lead-free solder interconnections in thermal and power cycling tests Elaboration d'une méthodologie de localisation de défauts sur circuits intégrés logiques par test sous faisceau d'électrons, application à différentes fonctions électroniques Studies on the surface modification of bennzocyclobutene (BCB) film by plasma ions Localized die metallization damage induced during laser marking of a semiconductor package, formation interne, " micro-batteries : état de l'art académique EMI and ESD consideration for LCD and Cameras in wireless handset LC filters for mobile phone LCD and camera link Leakage and breakdown reliability issues associated with low-k dielectrics in a dual-damascen Cu process Handbook of metal etchants Plasma-charging damage of floating MIM capacitors, Microelectronics Reliability Thèse Microelectronics reliability Mémoire de diplôme de recherche technologique Microelectronics Reliability Materials research society symposium proceedings Proceedings of the 33rtd ISTFA, ASM international article technique TA0318, 2005 (disponible sur le site internet www.ST.com) [ST10] ST Note d'application AN3141 Reliability issues and advanced failure analysis deprocessing techniques for Copper/Low-k technology Deprocessing techniques for copper, low-k and SOI devices Microelectronics failure analysis desk reference, pp.1688-1691, 1991.

R. Conclusion-générale-[-sch11-]-schlangen, R. Motegi, S. Nagatomo, T. Schmidt, C. Altmann et al., Use of Lock-In Thermography for Non-Destructive 3D Defect Localization on System in Package and Stacked-Die Technology, Conference Proceedings from the 37th International Symposium for Testing and Failure Analysis, pp.68-73, 2011.

. Il, hydrogène (ex :hydrogen silsesquioxane (H 8 Si 8 O 12 ), des atomes fluorés (que l'on retrouve dans les produits parylène, PTFE) ou des groupements carbonés (SiCOH)

L. Silk and B. Le, benzocyclobutene) produits par Dow chemical corporation sont deux matériaux avec une constante diélectrique de 2.6. Le SilK est composé de réseau aromatique et ne contient pas de silicium

B. Le and . Est-un-monomère-contenant-du-silicium, Sa formule chimique est présentée figure 123, Figure, vol.123

L. Diélectriques-poreux-la-constante-diélectrique-d, un matériau diminue avec sa densité, c'est pourquoi les matériaux poreux sont utilisés pour diminuer cette constante. Il s'agit alors de prendre un matériau avec une constante diélectrique faible (tels que les oxydes dopés) et d'incorporer un liquide permettant de créer des pores dans l'oxyde, Les techniques sont appelées aerogel ou xerogel. Ces matériaux ont alors une constante diélectrique inférieure à 2. Annexes 206

A. Aubert, Tableau de synthèse des propriétés mécaniques, électriques et thermiques à 300K des matériaux de la microélectronique Sources : MatWeb, différents fournisseurs, Struers, Webelements, Mensnet, Mindat Annexes Références annexes [ABD02] Abdellatif F., présentation powerpoint " procédure TMAH " , Rousset central characterization & analysis laboratory, STmicroelectronics, Mise en place de nouveaux outils de préparation d'échantillon appliqués aux analyses technologiques et de défaillances " Mémoire diplôme de recherche technologique, 2008.

F. Beaudoin, P. Perdu, C. Denardi, R. Desplats, J. Lopez et al., Silicon thinning using ultra-short pulse laser ablation, Proceedings from the 30 th ISTFA, 2004.

F. Beck, O. Crepel, P. Poirier, P. Descamps, R. Desplats et al., Integrated circuit failure analysis : a guide to preparation techniques Magnetic Microscopy for ICs Failure Analysis : Comparative Case Studies using SQUID, GMR and MTJ systems, Proceedings from the 30 th ISTFA, 1998.

S. Debleds, Localisation de défauts par stimulation thermique laser et par emission, Mémoire de diplôme de recherche technologique, 2008.

G. Rozgonyi, W. Kern, and J. L. Vossen, Silicon: characterization by etching Thin film processes, 1978.

S. Perungulam and K. S. Wills, Chip access techniques " , Microelectronics failure analysis desk reference, EDFAS society, pp.312-322, 2004.

S. M. Rossnagel and W. D. Westwood, handbook of plasma processing technology: fundamentals, etching, deposition, and surface interactions, 1990.

K. S. Wills and S. Perungulam, delayering techniques: dry processes, wet chemical processing and parallel lapping " , Microelectronics failure analysis desk reference, EDFAS society, ASM international, issue.11, pp.445-464, 2004.