QUELQUES ASPECTS DE LA FORMATION DE FILMS MINCES DE NITRURE DE BORE CUBIQUE OBTENUS PAR DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR FAISCEAU D'IONS - TEL - Thèses en ligne Accéder directement au contenu
Thèse Année : 2000

several aspect of the formation of cBN thin films by using Physical vapor deposition method (IBAD)

QUELQUES ASPECTS DE LA FORMATION DE FILMS MINCES DE NITRURE DE BORE CUBIQUE OBTENUS PAR DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR FAISCEAU D'IONS

Eric Guiot
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 960239

Résumé

This work concerns the study of the deposition of cubic Boron Nitride thin films on Silicon substrates by using the IBAD-PVD method. Interest of these experiments consists in the low deposition temperature (200-250°C), which is near of the limit temperature of cBN nucleation. In a first time, we have determined the cubic phase synthesis conditions and characterized the films. So, we could compare the properties of the films obtained with low and high deposition temperature. We observed the influence of different parameters on the hBN/cBN phase transition, about different opinions were found in literature. Finally we tried to improve the film/substrate adhesion by making a distinction between the cubic Boron Nitride nucleation ang growth conditions. We could show that it was possible to distinguish two steps : the nucleation step and the growth step. By changing the conditions it was possible simintaneously to improve the film adherence and the cBN content.
Ce travail est consacré à l’étude de la phase cubique du Nitrure de Bore, déposée en couches minces sur des substrats de Silicium par méthode PDD-IBAD à une température de dépôt faible (200-250°) et proche de la température limite de germination du cBN. Dans un premier temps nous avons pu déterminer les conditions de synthèse de la phase cubique du Nitrure de Bore et également effectuer la caractérisation des films obtenus. Par ce biais nous pouvons comparer la qualité des films synthétisés à basse et haute température. Cette étude est complétée par l’observation des facteurs responsables de la transition de phase hBN/cBN, à propos desquels des opinions divergentes ont été recueillies dans la littérature. Enfin, dans un dernier temps, nous avons tenté d’apporter des solutions à l’obstacle principal à l’industrialisation des films de cBN, qui est la mauvaise qualité de l’adhérence des couches sur le substrat. Pour ce faire, nous avons joué sur les paramètres de dépôt en différenciant les conditions de germination et de croissance du Nitrure de Bore cubique.
Fichier principal
Vignette du fichier
quelques aspects de la formation de films mince de nitrure de Bore cubique obtenus par depot physique en phase vapeur assisté par faisceau d'ions.pdf (2.81 Mo) Télécharger le fichier

Dates et versions

tel-01089261 , version 1 (01-12-2014)

Identifiants

  • HAL Id : tel-01089261 , version 1

Citer

Eric Guiot. QUELQUES ASPECTS DE LA FORMATION DE FILMS MINCES DE NITRURE DE BORE CUBIQUE OBTENUS PAR DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR FAISCEAU D'IONS. Physique [physics]. ENSAM Cluny, 2000. Français. ⟨NNT : 2000-01⟩. ⟨tel-01089261⟩
88 Consultations
959 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More