<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<TEI xmlns="http://www.tei-c.org/ns/1.0" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:hal="http://hal.archives-ouvertes.fr/" xmlns:gml="http://www.opengis.net/gml/3.3/" xmlns:gmlce="http://www.opengis.net/gml/3.3/ce" version="1.1" xsi:schemaLocation="http://www.tei-c.org/ns/1.0 http://api.archives-ouvertes.fr/documents/aofr-sword.xsd">
  <teiHeader>
    <fileDesc>
      <titleStmt>
        <title>HAL TEI export of tel-01093980v2</title>
      </titleStmt>
      <publicationStmt>
        <distributor>CCSD</distributor>
        <availability status="restricted">
          <licence target="https://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/">CC0 1.0 - Universal</licence>
        </availability>
        <date when="2026-05-26T01:39:04+02:00"/>
      </publicationStmt>
      <sourceDesc>
        <p part="N">HAL API Platform</p>
      </sourceDesc>
    </fileDesc>
  </teiHeader>
  <text>
    <body>
      <listBibl>
        <biblFull>
          <titleStmt>
            <title xml:lang="en">Impact of plasma treatments and cleaning chemistries on a porous low-k dielectric used for interconnects.</title>
            <title xml:lang="fr">Impact des chimies de nettoyage et des traitements plasma sur les matériaux diélectriques à basse permittivité.</title>
            <author role="aut">
              <persName>
                <forename type="first">Matthieu</forename>
                <forename type="middle">J.</forename>
                <surname>Lépinay</surname>
              </persName>
              <email type="md5">9956f7748b395f4576e29904207fd73f</email>
              <email type="domain">gmail.com</email>
              <idno type="idhal" notation="numeric">962289</idno>
              <idno type="halauthorid" notation="string">875883-962289</idno>
              <affiliation ref="#struct-767"/>
            </author>
            <editor role="depositor">
              <persName>
                <forename>Matthieu</forename>
                <surname>Lépinay</surname>
              </persName>
              <email type="md5">9956f7748b395f4576e29904207fd73f</email>
              <email type="domain">gmail.com</email>
            </editor>
            <funder ref="#projanr-47679"/>
            <funder>CIFRE N° 1169/2010 (STMicroelectronics / Institut Européen des Membranes / Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information du Commissariat à l’Energie Atomique et aux énergies alternatives (CEA-LETI)</funder>
          </titleStmt>
          <editionStmt>
            <edition n="v1">
              <date type="whenSubmitted">2014-12-11 14:35:11</date>
            </edition>
            <edition n="v2" type="current">
              <date type="whenSubmitted">2015-08-13 18:17:15</date>
              <date type="whenModified">2025-02-20 17:55:04</date>
              <date type="whenReleased">2015-08-14 09:12:08</date>
              <date type="whenProduced">2014-10-23</date>
              <date type="whenEndEmbargoed">2015-08-13</date>
              <ref type="file" target="https://theses.hal.science/tel-01093980v2/document">
                <date notBefore="2015-08-13"/>
              </ref>
              <ref type="file" n="1" target="https://theses.hal.science/tel-01093980v2/file/Manuscrit_vFIN.3.pdf" id="file-1184272-1268884">
                <date notBefore="2015-08-13"/>
              </ref>
            </edition>
            <respStmt>
              <resp>contributor</resp>
              <name key="133299">
                <persName>
                  <forename>Matthieu</forename>
                  <surname>Lépinay</surname>
                </persName>
                <email type="md5">9956f7748b395f4576e29904207fd73f</email>
                <email type="domain">gmail.com</email>
              </name>
            </respStmt>
          </editionStmt>
          <publicationStmt>
            <distributor>CCSD</distributor>
            <idno type="halId">tel-01093980</idno>
            <idno type="halUri">https://theses.hal.science/tel-01093980</idno>
            <idno type="halBibtex">lepinay:tel-01093980</idno>
            <idno type="halRefHtml">Matériaux. Université Montpellier 2, 2014. Français. &lt;a target="_blank" href="https://www.theses.fr/"&gt;&amp;#x27E8;NNT : &amp;#x27E9;&lt;/a&gt;</idno>
            <idno type="halRef">Matériaux. Université Montpellier 2, 2014. Français. &amp;#x27E8;NNT : &amp;#x27E9;</idno>
            <availability status="restricted">
              <licence target="https://about.hal.science/hal-authorisation-v1/">HAL Authorization<ref corresp="#file-1184272-1268884"/></licence>
            </availability>
          </publicationStmt>
          <seriesStmt>
            <idno type="stamp" n="CNRS">CNRS - Centre national de la recherche scientifique</idno>
            <idno type="stamp" n="UNIV-MONTP2">Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc</idno>
            <idno type="stamp" n="ENSC-MONTPELLIER">Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier</idno>
            <idno type="stamp" n="IEM">Institut Européen des membranes</idno>
            <idno type="stamp" n="INC-CNRS">Institut de Chimie du CNRS</idno>
            <idno type="stamp" n="CHIMIE">Chimie</idno>
            <idno type="stamp" n="UNIV-MONTPELLIER">Université de Montpellier</idno>
            <idno type="stamp" n="AMIDEX">AMIDEX</idno>
            <idno type="stamp" n="ANR">ANR</idno>
            <idno type="stamp" n="UM1-UM2" corresp="UNIV-MONTPELLIER">Université Montpellier 1 - Université Montpellier 2</idno>
            <idno type="stamp" n="TEST2-HALCNRS">TEST2-HALCNRS</idno>
          </seriesStmt>
          <notesStmt/>
          <sourceDesc>
            <biblStruct>
              <analytic>
                <title xml:lang="en">Impact of plasma treatments and cleaning chemistries on a porous low-k dielectric used for interconnects.</title>
                <title xml:lang="fr">Impact des chimies de nettoyage et des traitements plasma sur les matériaux diélectriques à basse permittivité.</title>
                <author role="aut">
                  <persName>
                    <forename type="first">Matthieu</forename>
                    <forename type="middle">J.</forename>
                    <surname>Lépinay</surname>
                  </persName>
                  <email type="md5">9956f7748b395f4576e29904207fd73f</email>
                  <email type="domain">gmail.com</email>
                  <idno type="idhal" notation="numeric">962289</idno>
                  <idno type="halauthorid" notation="string">875883-962289</idno>
                  <affiliation ref="#struct-767"/>
                </author>
              </analytic>
              <monogr>
                <imprint>
                  <date type="dateDefended">2014-10-23</date>
                </imprint>
                <authority type="institution">Université Montpellier 2</authority>
                <authority type="school">Sciences Chimiques Balard</authority>
                <authority type="supervisor">André AYRAL</authority>
                <authority type="jury">Vincent ROUESSAC</authority>
                <authority type="jury">Lucile BROUSSOUS</authority>
                <authority type="jury">Christophe LICITRA</authority>
                <authority type="jury">Renaud DENOYEL</authority>
                <authority type="jury">Vincent JOUSSEAUME</authority>
                <authority type="jury">Jean-Marc FRIGERIO</authority>
                <authority type="jury">Bruno BOURY</authority>
                <authority type="jury">François BERTIN</authority>
                <authority type="jury">Benoît COASNE</authority>
              </monogr>
            </biblStruct>
          </sourceDesc>
          <profileDesc>
            <langUsage>
              <language ident="fr">French</language>
            </langUsage>
            <textClass>
              <keywords scheme="author">
                <term xml:lang="en">positrons.</term>
                <term xml:lang="en">molecular simulation</term>
                <term xml:lang="en">adsorption</term>
                <term xml:lang="en">restoration</term>
                <term xml:lang="en">post-treatments</term>
                <term xml:lang="en">microporosity</term>
                <term xml:lang="en">organosilica dielectric</term>
                <term xml:lang="fr">positrons</term>
                <term xml:lang="fr">modélisation moléculaire</term>
                <term xml:lang="fr">restauration</term>
                <term xml:lang="fr">post-traitements</term>
                <term xml:lang="fr">microporosité</term>
                <term xml:lang="fr">diélectrique organosilicié</term>
              </keywords>
              <classCode scheme="halDomain" n="chim.mate">Chemical Sciences/Material chemistry</classCode>
              <classCode scheme="halTypology" n="THESE">Theses</classCode>
              <classCode scheme="halOldTypology" n="THESE">Theses</classCode>
              <classCode scheme="halTreeTypology" n="THESE">Theses</classCode>
            </textClass>
            <abstract xml:lang="en">
              <p>We report in this work the impact of the manufacturing process of an integrated circuit (28 nm technology node) on the porous dielectric material used to isolate the interconnections of the transistors. Our study focuses in particular on the diffusion of species (cleaning chemistries, water/moisture, gas molecules) in the porous network. To decorrelate "chemical" effects of affinity between the molecules and the surface and "physical" effects due to pore size, several complementary techniques are used for further characterization. Chemical changes are first characterized at the surface by XPS and drop contact angle. FTIR is then used to probe the whole thickness of the layer and the ToF-SIMS to obtain a depth profiled characterization. A structural analysis by solid-state NMR enables to highlight the changes in cross-linking of the silicon skeleton. A porosimetric study by EP, PALS and GISAXS reveals inconsistencies between these techniques based on the adsorption of gases on the one hand, and X-ray scattering and positron annihilation of the other. Numerical modelling of gas adsorption isotherms enables us to consider interactions probe surface and reconcile the results. Thus we measured an increase of the pore size by plasma etching, and a decrease in pore size after HF cleaning, which correspond to the characterized chemical changes in terms of size of the functional groups. Finally, these characterization techniques show that silylation treatments can effectively restore the dielectric and physico-chemical properties of low-k materials.</p>
            </abstract>
            <abstract xml:lang="fr">
              <p>Nous présentons dans ce travail l'impact du procédé de fabrication d'un circuit intégré (noeud technologique 28 nm) sur le matériau diélectrique poreux utilisé pour isoler les interconnexions des transistors. Notre étude est en particulier axée sur la diffusion d'espèces (chimies de nettoyage, eau/humidité, molécules de gaz) dans le réseau poreux. Pour décorréler les effets "chimiques" d'affinité entre la surface et les molécules considérées et "physiques" de taille des pores, plusieurs techniques de caractérisation complémentaires sont utilisées. Les modifications chimiques sont d'abord caractérisées en surface par XPS et angle de goutte. Le FTIR est ensuite utilisé pour sonder l'épaisseur de la couche et le ToF-SIMS pour obtenir un profil en profondeur des modifications. L'analyse structurale microstructure par RMN du solide permet de mettre en évidence les variations de la réticulation du squelette silicique. La porosimétrie par EP, PALS et GISAXS révèle des incohérences entre ces techniques reposant sur l'adsorption de gaz d'une part, et la diffusion de rayons X et l'annihilation de positrons d'autre part. La modélisation numérique des isothermes d'adsorption de gaz nous permet de tenir compte des interactions sonde-surface et de réconcilier les résultats. Ainsi nous mesurons une augmentation de la taille des pores par les plasmas de gravure, et une diminution de taille des pores après nettoyage HF, qui correspondent aux modifications chimiques en termes de tailles des groupements. Finalement, ces moyens de caractérisation montrent que des traitements de silylation peuvent restaurer efficacement les propriétés diélectriques et physico-chimiques des matériaux low-k.</p>
            </abstract>
          </profileDesc>
        </biblFull>
      </listBibl>
    </body>
    <back>
      <listOrg type="structures">
        <org type="laboratory" xml:id="struct-767" status="OLD">
          <idno type="ISNI">0000000417572291</idno>
          <idno type="RNSR">199412064U</idno>
          <idno type="ROR">https://ror.org/05rtchs68</idno>
          <orgName>Institut Européen des membranes</orgName>
          <orgName type="acronym">IEM</orgName>
          <date type="start">1995-01-01</date>
          <date type="end">2014-12-31</date>
          <desc>
            <address>
              <addrLine>1919, route de Mende - BP 5051 - 34293 Montpellier cedex 5</addrLine>
              <country key="FR"/>
            </address>
            <ref type="url">http://www.iemm.univ-montp2.fr</ref>
          </desc>
          <listRelation>
            <relation active="#struct-92690" type="direct"/>
            <relation active="#struct-300370" type="direct"/>
            <relation active="#struct-341038" type="direct"/>
            <relation name="UMR5635" active="#struct-441569" type="direct"/>
          </listRelation>
        </org>
        <org type="institution" xml:id="struct-92690" status="OLD">
          <orgName>Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques</orgName>
          <orgName type="acronym">UM2</orgName>
          <date type="end">2014-12-31</date>
          <desc>
            <address>
              <addrLine>Place Eugène Bataillon - 34095 Montpellier cedex 5</addrLine>
              <country key="FR"/>
            </address>
            <ref type="url">http://www.univ-montp2.fr/</ref>
          </desc>
        </org>
        <org type="institution" xml:id="struct-300370" status="OLD">
          <idno type="ROR">https://ror.org/03sgyqj04</idno>
          <orgName>Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier</orgName>
          <orgName type="acronym">ENSCM</orgName>
          <date type="end">2021-12-31</date>
          <desc>
            <address>
              <addrLine>8 Rue de l'Ecole Normale 34296 Montpellier Cedex 5</addrLine>
              <country key="FR"/>
            </address>
            <ref type="url">http://www.enscm.fr</ref>
          </desc>
        </org>
        <org type="institution" xml:id="struct-341038" status="VALID">
          <idno type="IdRef">232435103</idno>
          <idno type="ISNI">000000010626358X</idno>
          <idno type="ROR">https://ror.org/02cte4b68</idno>
          <orgName>Institut de Chimie - CNRS Chimie</orgName>
          <orgName type="acronym">INC-CNRS</orgName>
          <date type="start">2009-10-01</date>
          <desc>
            <address>
              <addrLine>CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE3 rue Michel-Ange75794 PARIS CEDEX 16 - France</addrLine>
              <country key="FR"/>
            </address>
            <ref type="url">http://www.cnrs.fr/inc</ref>
          </desc>
        </org>
        <org type="regroupinstitution" xml:id="struct-441569" status="VALID">
          <idno type="IdRef">02636817X</idno>
          <idno type="ISNI">0000000122597504</idno>
          <idno type="ROR">https://ror.org/02feahw73</idno>
          <orgName>Centre National de la Recherche Scientifique</orgName>
          <orgName type="acronym">CNRS</orgName>
          <date type="start">1939-10-19</date>
          <desc>
            <address>
              <country key="FR"/>
            </address>
            <ref type="url">https://www.cnrs.fr/</ref>
          </desc>
        </org>
      </listOrg>
      <listOrg type="projects">
        <org type="anrProject" xml:id="projanr-47679" status="VALID">
          <idno type="anr">ANR-11-IDEX-0001</idno>
          <orgName>Amidex</orgName>
          <desc>INITIATIVE D'EXCELLENCE AIX MARSEILLE UNIVERSITE</desc>
          <date type="start">2011</date>
        </org>
      </listOrg>
    </back>
  </text>
</TEI>