T. Abi-tannous, Croissance de la phase MAX sur SiC contact ohmique stable et fiable à haute température, p.17, 2015.

M. S. Adler, V. A. Temple, A. P. Ferro, and R. Et-rustay, Theory and breakdown voltage for planar devices with a single field limiting ring. Electron Devices, IEEE Transactions on, vol.24, issue.2, p.31, 1977.

L. J. Anthony, Sublimation process for manufacturing silicon carbide crystals. US Patent 2,854, p.15, 1958.

J. Appels and H. Vaes, High voltage thin layer devices (resurf devices), Electron Devices Meeting, vol.25, p.36, 1979.

B. J. Baliga, Power semiconductor device figure of merit for highfrequency applications, IEEE Electron Device Letters, vol.10, issue.10, p.54, 1989.

J. Baliga, Modern power devices, p.26, 1987.

B. Beydoun, Simulation et conception des transistors VDMOS de puissance, p.27, 1994.

A. Blumenau, R. Jones, S. Öberg, P. Briddon, and T. Frauenheim, , 2003.

, Basal plane partial dislocations in silicon carbide, Physica B : Condensed Matter, vol.340, p.14

V. Boisson, Etude de la géomètrie Optimale des Périphéries des Jonctions Planar, p.133, 1985.

,. Bibliographie-brieger, W. Gerlach, and J. Pelka, Blocking capability of planar devices with field limiting rings, Solid-state electronics, vol.26, issue.8, p.31, 1983.

N. Camara and K. Zekentes, Study of the reactive ion etching of 6h-sic and 4h-sic in sf 6/ar plasmas by optical emission spectroscopy and laser interferometry, Solid-State Electronics, vol.46, issue.11, p.101, 2002.

J. Casady, E. Luckowski, M. Bozack, D. Sheridan, R. Johnson et al.,

J. Williams, Etching of 6h-sic and 4h-sic using nf 3 in a reactive ion etching system, Journal of the Electrochemical Society, vol.143, issue.5, p.101, 1996.

A. G. Chynoweth, Ionization rates for electrons and holes in silicon, Phys. Rev, vol.109, pp.23-132, 1958.

L. Clark and D. Zoroglu, Enhancement of breakdown properties of overlay annular diodes by field shaping resistive films, Solid-State Electronics, vol.15, issue.6, p.36, 1972.

J. Coburn and H. F. Winters, Plasma etchingï¿ 1 2 a discussion of mechanisms, Journal of Vacuum Science & Technology, vol.16, issue.2, p.96, 1979.

. Cree, Introduces 150-mm 4hn silicon carbide epitaxial wafers, 2012.

N. Dheilly, Protection périphérique performante appliquée à une diode bipolaire sic-4h : Jte triple implantée, JCGE, p.34, 2008.

S. Diaham, M. L. Locatelli, T. Lebey, C. Raynaud, M. Lazar et al., , 2009.

T. Bui-thi and . Huyen, Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance" -Thèse INSA de Lyon -AMPERE 4h-sic pin diode breakdown voltage, Materials Science Forum, vol.615, pp.695-698

D. M. Dragomirescu, Conception des terminaisons de jonctions pour des dispositifs très haute tension-aspects statiques et dynamiques, 2001.

W. D. Eades and R. M. Swanson, Improvements in the determination of interface state density using deep level transient spectroscopy, Journal of applied physics, vol.56, issue.6, p.74, 1984.

M. Gharbi, La tenue en tension et le calibre en courant du transistor MOS vertical dans la gamme de tension (300 V à 100 V), p.27, 1985.

A. S. Grove, O. Leistiko, and W. W. Hooper, Effect of surface fields on the breakdown voltage of planar silicon pn junctions, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.14, issue.3, p.34, 1967.

T. Hatakeyama, T. Watanabe, T. Shinohe, K. Kojima, K. Arai et al., Impact ionization coefficients of 4h silicon carbide. Applied physics letters, vol.85, p.23, 2004.

D. Hofmann, E. Schmitt, M. Bickermann, M. Kölbl, P. Wellmann et al., Analysis on defect generation during the sic bulk growth process, Materials Science and Engineering : B, vol.61, p.14, 1999.

K. Hwang and D. H. Et-navon, Breakdown voltage optimization of silicon p-?-v planar junction diodes. Electron Devices, IEEE Transactions on, vol.31, issue.9, p.33, 1984.

M. H. Jones and H. Et-jones-stephen, The general properties of si, ge, sige, sio2 and si3n4. Virginia semiconductor, vol.18, 2002.

T. Bui-thi and . Huyen, Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance

R. Kamibaba, K. Takahama, and I. Omura, Design of trench termination for high voltage devices, 2010 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), p.41, 2010.

Y. Kao and E. Wolley, High-voltage planar pn junctions, Proceedings of the IEEE, vol.55, issue.8, p.30, 1967.
DOI : 10.1109/proc.1967.5842

D. Kim, H. Lee, B. Park, H. Kim, Y. Sung et al., High rate etching of 6h-sic in sf 6-based magneticallyenhanced inductively coupled plasmas, Thin Solid Films, vol.447, p.102, 2004.

A. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, and U. Lindefelt, Ionization rates and critical fields in 4h silicon carbide, Applied Physics Letters, vol.71, issue.1, pp.90-92, 1997.

A. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, and U. Lindefelt, , 1998.

, Study of avalanche breakdown and impact ionization in 4h silicon carbide, Journal of electronic materials, vol.27, issue.4, p.24

F. Laariedh, Technologie dâintégration monolithique des JFET latéraux, INSA de Lyon, vol.17, 2013.

M. B. Lazar, Etude du Dopage par Implantation Ionique d'Aluminium dans le Carbure de Silicium pour la Réalisation de Composants de Puissance, 2002.

D. Thèse-de, , p.16

S. Lefebvre and F. Miserey, Composants à semi-conducteur pour l'élec-tronique de puissance, Tec et Doc, p.29, 2004.

P. Leturcq, Tenue en tension des semi-conducteurs de puissance, vol.4, pp.1-18, 2000.

T. Bui-thi and . Huyen, Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance

W. Loh, B. Ng, J. Ng, S. I. Soloviev, H. Cha et al., Impact ionization coefficients in 4h-sic, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.55, issue.8, p.23, 2008.

B. Ng, J. P. David, R. C. Tozer, G. J. Rees, F. Yan et al., Nonlocal effects in thin 4h-sic uv avalanche photodiodes, 2003.

, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.50, issue.8, p.23

D. Nguyen, C. Raynaud, M. Lazar, G. Pâques, S. Scharnholz et al., Obic measurements on avalanche diodes in 4h-sic for the determination of impact ionization coefficients, Materials Science Forum, vol.717, pp.545-548, 2012.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00747298

D. M. Nguyen, Conception et caractérisation de diodes en SiC pour la détermination des coefficients d'ionisation, 2011.

H. Niwa, G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto, Breakdown characteristics of 12-20 kv-class 4h-sic pin diodes with improved junction termination structures, 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, pp.381-384, 2012.

H. Niwa, G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto, Breakdown characteristics of 12-20 kv-class 4h-sic pin diodes with improved junction termination structures, Power Semiconductor Devices and ICs, p.2012, 2012.

, 24th International Symposium on, p.34

K. Nuttall, O. Buiu, and V. Obreja, Surface leakage current related failure of power silicon devices operated at high junction temperature. Microelectronics Reliability, vol.43, p.19, 2003.

L. Ottaviani, Realisation de jonctions dans le carbure de silicium 6H par implantation ionique d'aluminium, p.16, 1999.

T. Bui-thi and . Huyen, Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance

T. P. Pham, Le compromis entre la résistance à l'état passant et la tenue en tension dans les transistors MOS de puissance, p.27, 1982.

R. Raghunathan and B. J. Baliga, Measurement of electron and hole impact ionization coefficients for sic, Power Semiconductor Devices and IC's, 1997. ISPSD'97, p.23, 1997.

R. Raghunathan and B. J. Baliga, Temperature dependence of hole impact ionization coefficients in 4h and 6h-sic, Solid-State Electronics, vol.43, issue.2, p.13, 1999.

C. Raynaud, Silica films on silicon carbide : a review of electrical properties and device applications, Journal of Non-Crystalline Solids, vol.280, issue.1, p.76, 2001.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00141505

C. Raynaud, Techniques de l'ingénieur. Génie électrique, 4(D3119). (Cité pages xiii, xix, vol.7, 2007.

K. Robb, J. Hopkins, G. Nicholls, and L. Lea, Plasma sources for high-rate etching of sic. Solid State Technology, vol.48, p.102, 2005.

A. Rusu and C. Bulucea, Deep-depletion breakdown voltage of silicon-dioxide/silicon mos capacitors, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.26, issue.3, pp.201-205, 1979.

N. Saks, S. Mani, and A. Agarwal, Interface trap profile near the band edges at the 4h-sic/sio 2 interface, Applied Physics Letters, vol.76, issue.16, pp.2250-2252, 2000.

S. Sejil, M. Lazar, D. Carole, C. Brylinski, D. Planson et al., Further optimization of vls localized epitaxy for deeper 4h-sic p-n junctions, p.17, 2017.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01615190

T. Bui-thi and . Huyen, Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance

K. Seto, R. Kamibaba, M. Tsukuda, and I. Omura, Universal trench edge termination design, 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, p.41, 2012.

D. C. Sheridan, J. B. Casady, C. Ellis, R. Siergiej, J. Cressler et al., Demonstration of deep (80µm) rie etching of sic for mems and mmic applications, Materials Science Forum, vol.338, pp.1053-1056, 2000.

S. Sze and G. Gibbons, Effect of junction curvature on breakdown voltage in semiconductors, Solid-State Electronics, vol.9, issue.9, p.22, 1966.

Y. M. Tairov and V. Tsvetkov, Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals, Journal of crystal growth, vol.43, issue.2, p.15, 1978.

V. A. Temple and W. Et-tantraporn, Junction termination extension for near-ideal breakdown voltage in pn junctions. Electron Devices, IEEE Transactions on, vol.33, issue.10, p.32, 1986.

L. Théolier, H. Mahfoz-kotb, K. Isoird, F. Morancho, S. Assié-souleille et al., A new junction termination using a deep trench filled with benzocyclobutene, IEEE Electron Device Letters, vol.30, issue.6, p.41, 2009.

D. Tournier, Composants de Puissance en Sic, 2007.

T. Tredwell and C. Viswanathan, Determination of interface-state parameters in a mos capacitor by dlts, Solid-State Electronics, vol.23, issue.11, p.74, 1980.

T. Bui-thi and . Huyen, Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance

H. Vang, Optimisation des étapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium, 2006.

H. Vang, Optimisation des étapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium. ISL. (Cité pages xvii, vol.100, 2006.

R. Wolf and R. Helbig, Reactive ion etching of 6h-sic in sf 6/o 2 and cf 4/o 2 with n 2 additive for device fabrication, Journal of the Electrochemical Society, vol.143, issue.3, p.101, 1996.

H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, High temperature no annealing of deposited sio2 and sion films on n-type 4h-sic, 2005.

, Materials Science Forum, vol.483, pp.685-688

P. Yih, V. Saxena, and A. Steckl, A review of sic reactive ion etching in fluorinated plasmas. physica status solidi (b), vol.202, p.101, 1997.

M. Zitouni, F. Morancho, H. Tranduc, P. Rossel, J. Buxo et al., A new device for smart power integrated circuits-the trench lateral dmosfet, Semiconductor Conference, 1998. CAS'98 Proceedings, vol.1, p.39, 1998.

M. Lazar, F. Enoch, F. Laariedh, D. Planson, and P. Brosselard, Influence of the masking material and geometry on the 4H-SiC RIE etched surface state, Materials Science Forum, pp.477-480, 2011.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00661443

F. Simescu, D. Coiffard, M. Lazar, P. Brosselard, and D. Et-planson, Study of trenching formation during SF6/O2 reactive ion etching of 4HâSiC, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials (JOAM), vol.12, pp.766-769, 2010.

T. Bui-thi and . Huyen, Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance

T. Morel, F. Chaboud, H. Vang, P. Brosselard, P. Cremillieu et al., Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance, 2005.

M. Lazar, H. Vang, P. Brosselard, C. Raynaud, P. Cremillieu et al., Deep SiC etching with RIE, Superlattices and microstructures, vol.40, pp.388-392, 2006.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00179458

S. Biondo, L. Ottaviani, and M. Lazar, 4H-SiC P+N UV Photodiodes : A Comparison between Beam and Plasma Doping Processes. Silicon Carbide and Related Materéials, vol.717, p.132, 2011.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00747301

T. Bui-thi and . Huyen, Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance