Croissance de la phase MAX sur SiC contact ohmique stable et fiable à haute température, p.17, 2015. ,
Theory and breakdown voltage for planar devices with a single field limiting ring. Electron Devices, IEEE Transactions on, vol.24, issue.2, p.31, 1977. ,
Sublimation process for manufacturing silicon carbide crystals. US Patent 2,854, p.15, 1958. ,
High voltage thin layer devices (resurf devices), Electron Devices Meeting, vol.25, p.36, 1979. ,
Power semiconductor device figure of merit for highfrequency applications, IEEE Electron Device Letters, vol.10, issue.10, p.54, 1989. ,
Modern power devices, p.26, 1987. ,
Simulation et conception des transistors VDMOS de puissance, p.27, 1994. ,
, , 2003.
, Basal plane partial dislocations in silicon carbide, Physica B : Condensed Matter, vol.340, p.14
Etude de la géomètrie Optimale des Périphéries des Jonctions Planar, p.133, 1985. ,
Blocking capability of planar devices with field limiting rings, Solid-state electronics, vol.26, issue.8, p.31, 1983. ,
Study of the reactive ion etching of 6h-sic and 4h-sic in sf 6/ar plasmas by optical emission spectroscopy and laser interferometry, Solid-State Electronics, vol.46, issue.11, p.101, 2002. ,
,
Etching of 6h-sic and 4h-sic using nf 3 in a reactive ion etching system, Journal of the Electrochemical Society, vol.143, issue.5, p.101, 1996. ,
Ionization rates for electrons and holes in silicon, Phys. Rev, vol.109, pp.23-132, 1958. ,
Enhancement of breakdown properties of overlay annular diodes by field shaping resistive films, Solid-State Electronics, vol.15, issue.6, p.36, 1972. ,
Plasma etchingï¿ 1 2 a discussion of mechanisms, Journal of Vacuum Science & Technology, vol.16, issue.2, p.96, 1979. ,
Introduces 150-mm 4hn silicon carbide epitaxial wafers, 2012. ,
Protection périphérique performante appliquée à une diode bipolaire sic-4h : Jte triple implantée, JCGE, p.34, 2008. ,
, , 2009.
Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance" -Thèse INSA de Lyon -AMPERE 4h-sic pin diode breakdown voltage, Materials Science Forum, vol.615, pp.695-698 ,
Conception des terminaisons de jonctions pour des dispositifs très haute tension-aspects statiques et dynamiques, 2001. ,
Improvements in the determination of interface state density using deep level transient spectroscopy, Journal of applied physics, vol.56, issue.6, p.74, 1984. ,
La tenue en tension et le calibre en courant du transistor MOS vertical dans la gamme de tension (300 V à 100 V), p.27, 1985. ,
Effect of surface fields on the breakdown voltage of planar silicon pn junctions, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.14, issue.3, p.34, 1967. ,
Impact ionization coefficients of 4h silicon carbide. Applied physics letters, vol.85, p.23, 2004. ,
Analysis on defect generation during the sic bulk growth process, Materials Science and Engineering : B, vol.61, p.14, 1999. ,
Breakdown voltage optimization of silicon p-?-v planar junction diodes. Electron Devices, IEEE Transactions on, vol.31, issue.9, p.33, 1984. ,
The general properties of si, ge, sige, sio2 and si3n4. Virginia semiconductor, vol.18, 2002. ,
Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance ,
Design of trench termination for high voltage devices, 2010 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), p.41, 2010. ,
High-voltage planar pn junctions, Proceedings of the IEEE, vol.55, issue.8, p.30, 1967. ,
DOI : 10.1109/proc.1967.5842
High rate etching of 6h-sic in sf 6-based magneticallyenhanced inductively coupled plasmas, Thin Solid Films, vol.447, p.102, 2004. ,
Ionization rates and critical fields in 4h silicon carbide, Applied Physics Letters, vol.71, issue.1, pp.90-92, 1997. ,
, , 1998.
, Study of avalanche breakdown and impact ionization in 4h silicon carbide, Journal of electronic materials, vol.27, issue.4, p.24
Technologie dâintégration monolithique des JFET latéraux, INSA de Lyon, vol.17, 2013. ,
Etude du Dopage par Implantation Ionique d'Aluminium dans le Carbure de Silicium pour la Réalisation de Composants de Puissance, 2002. ,
, , p.16
Composants à semi-conducteur pour l'élec-tronique de puissance, Tec et Doc, p.29, 2004. ,
Tenue en tension des semi-conducteurs de puissance, vol.4, pp.1-18, 2000. ,
Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance ,
Impact ionization coefficients in 4h-sic, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.55, issue.8, p.23, 2008. ,
, Nonlocal effects in thin 4h-sic uv avalanche photodiodes, 2003.
, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.50, issue.8, p.23
Obic measurements on avalanche diodes in 4h-sic for the determination of impact ionization coefficients, Materials Science Forum, vol.717, pp.545-548, 2012. ,
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00747298
Conception et caractérisation de diodes en SiC pour la détermination des coefficients d'ionisation, 2011. ,
Breakdown characteristics of 12-20 kv-class 4h-sic pin diodes with improved junction termination structures, 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, pp.381-384, 2012. ,
Breakdown characteristics of 12-20 kv-class 4h-sic pin diodes with improved junction termination structures, Power Semiconductor Devices and ICs, p.2012, 2012. ,
, 24th International Symposium on, p.34
Surface leakage current related failure of power silicon devices operated at high junction temperature. Microelectronics Reliability, vol.43, p.19, 2003. ,
Realisation de jonctions dans le carbure de silicium 6H par implantation ionique d'aluminium, p.16, 1999. ,
Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance ,
Le compromis entre la résistance à l'état passant et la tenue en tension dans les transistors MOS de puissance, p.27, 1982. ,
Measurement of electron and hole impact ionization coefficients for sic, Power Semiconductor Devices and IC's, 1997. ISPSD'97, p.23, 1997. ,
Temperature dependence of hole impact ionization coefficients in 4h and 6h-sic, Solid-State Electronics, vol.43, issue.2, p.13, 1999. ,
Silica films on silicon carbide : a review of electrical properties and device applications, Journal of Non-Crystalline Solids, vol.280, issue.1, p.76, 2001. ,
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00141505
Techniques de l'ingénieur. Génie électrique, 4(D3119). (Cité pages xiii, xix, vol.7, 2007. ,
Plasma sources for high-rate etching of sic. Solid State Technology, vol.48, p.102, 2005. ,
Deep-depletion breakdown voltage of silicon-dioxide/silicon mos capacitors, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.26, issue.3, pp.201-205, 1979. ,
Interface trap profile near the band edges at the 4h-sic/sio 2 interface, Applied Physics Letters, vol.76, issue.16, pp.2250-2252, 2000. ,
Further optimization of vls localized epitaxy for deeper 4h-sic p-n junctions, p.17, 2017. ,
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01615190
Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance ,
Universal trench edge termination design, 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, p.41, 2012. ,
Demonstration of deep (80µm) rie etching of sic for mems and mmic applications, Materials Science Forum, vol.338, pp.1053-1056, 2000. ,
Effect of junction curvature on breakdown voltage in semiconductors, Solid-State Electronics, vol.9, issue.9, p.22, 1966. ,
Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals, Journal of crystal growth, vol.43, issue.2, p.15, 1978. ,
Junction termination extension for near-ideal breakdown voltage in pn junctions. Electron Devices, IEEE Transactions on, vol.33, issue.10, p.32, 1986. ,
A new junction termination using a deep trench filled with benzocyclobutene, IEEE Electron Device Letters, vol.30, issue.6, p.41, 2009. ,
Composants de Puissance en Sic, 2007. ,
Determination of interface-state parameters in a mos capacitor by dlts, Solid-State Electronics, vol.23, issue.11, p.74, 1980. ,
Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance ,
Optimisation des étapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium, 2006. ,
Optimisation des étapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium. ISL. (Cité pages xvii, vol.100, 2006. ,
Reactive ion etching of 6h-sic in sf 6/o 2 and cf 4/o 2 with n 2 additive for device fabrication, Journal of the Electrochemical Society, vol.143, issue.3, p.101, 1996. ,
High temperature no annealing of deposited sio2 and sion films on n-type 4h-sic, 2005. ,
, Materials Science Forum, vol.483, pp.685-688
A review of sic reactive ion etching in fluorinated plasmas. physica status solidi (b), vol.202, p.101, 1997. ,
A new device for smart power integrated circuits-the trench lateral dmosfet, Semiconductor Conference, 1998. CAS'98 Proceedings, vol.1, p.39, 1998. ,
Influence of the masking material and geometry on the 4H-SiC RIE etched surface state, Materials Science Forum, pp.477-480, 2011. ,
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00661443
Study of trenching formation during SF6/O2 reactive ion etching of 4HâSiC, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials (JOAM), vol.12, pp.766-769, 2010. ,
Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance ,
Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance, 2005. ,
Deep SiC etching with RIE, Superlattices and microstructures, vol.40, pp.388-392, 2006. ,
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00179458
, 4H-SiC P+N UV Photodiodes : A Comparison between Beam and Plasma Doping Processes. Silicon Carbide and Related Materéials, vol.717, p.132, 2011.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00747301
Terminaison verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance ,