Development and characterization of perovskite based devices: field effect transistors and solar cells
Développement et caractérisation des dispositifs à base de perovskite : transistors à effet de champ et cellules solaires
Résumé
The objective of this thesis was the study of electronic devices based on hybrid
perovskites. In this context we have developed and produce field effect transistors (FETs) and
solar cells based on hybrid perovskite material.
In the case of transistors, using thin layers of highly crystallized hybrid perovskites we have
made ambipolar transistors operating at room temperature and having low hysteresis, high
transconductance (for this type of material) and a ratio of Ion / Ioff > 104. In the context of this
thesis, the use of several dielectrics allowed us to obtain a high modulation of the channel
conductance with relatively low gate voltages (4-6V). Hafnium oxide with relative permittivity
r = 23.5 showed very good performances and a very good compatibility for the hybrid
perovskite growth.
After several polarization steps the devices exhibited stabilized operation and were measured
in consecutive cycles for 14 hours with small change in their performance. We have shown
that the increase of the electric field allowed the formation of a hole channel at the interface.
The successive polarization of HfO2 / perovskite-based devices led to the creation of a second
electron current and demonstrated a final ambipolar device. All the devices presented a
hysteresis with amplitude sometimes not negligible. This demonstrated the presence of mobile
ion charges at the interfaces that influence the output currents of the device.
In the last part of the thesis we focused our work in hybrid perovskite growth for the production
of solar cells. We have studied two growth conditions: conditions under normal air (relative
humidity> 60%) and nitrogen atmosphere in glove boxes (relative humidity <0.1 ppm). By
these two paths we obtained photovoltaic conversion efficiencies of 5% and 8% respectively.
L'objectif de cette thèse était l’étude de dispositifs électroniques à base de
pérovskites hybrides. Dans ce cadre nous avons développé et fabriqué des transistors à effet de
champ (FET) ainsi que des cellules solaires à base de perovskite.
Dans le cas des transistors, en utilisant des couches minces de pérovskites hybride hautement
cristallisées nous avons réalisé des transistors ambipolaires fonctionnant à la température
ambiante et présentant une hystérésis faible, une transconductance élevée (pour ce type de
matériau), et un rapport Ion / Ioff> 104. Dans le cadre de cette thèse l’utilisation de plusieurs
diélectriques nous a permis d’obtenir une forte modulation de la conductance du canal avec
des tensions de grille relativement faibles (4-6V). Dans ce cadre l’oxyde d’Hafnium de
permittivité relative Er=23.5 a montré de très bonnes performances et une très bonne
compatibilité pour la croissance de pérovskite hybride.
Après plusieurs étapes de polarisation les dispositifs ont présenté un fonctionnement stabilisé
et ont été mesurés au cours des cycles consécutifs pendant 14 heures avec peu de changement
dans leurs performances. Nous avons mis en évidence que l’augmentation du champ électrique
a permis la formation d’un canal de trous à l’interface. La polarisation consécutive des
dispositifs à base de HfO2/pérovskite a amené à la création d’un second courant d’électrons et
a mis en évidence un fonctionnement ambipolaire final. L’ensemble des dispositifs ont
présenté une hystérésis dont l’amplitude était parfois non négligeable. Cela a démontré la
présence de charges mobiles ioniques aux interfaces qui influence les courants de sorties du
dispositif.
Dans la dernière partie de la thèse nous nous sommes intéressés à la croissance de pérovskite
hybride pour la production de cellules solaires. Nous avons étudié les deux conditions de
croissance suivantes : conditions sous air normal (humidité relative> 60%) et en atmosphère
d’azote en boites à gants (humidité relative <0.1 ppm). Par ces deux voies nous avons obtenu
respectivement des rendements de conversion photovoltaïque respectivement de 5% et 8%.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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