Structural and physicochemical study of the Fe / Si interface
Etude structurale et physicochimique de l'interface Fe / Si
Résumé
No English abstract
Nous avons exploré les conditions de formation du siliciure semiconducteur FeSi2-Bêta, à partir de films minces de fer (d.. 40..) déposés, sous ultra-vide, sur trois différentes faces de silicium : Si (111), Si (100) et si (100) vicinale. Les techniques de caractérisation in-situ (A.E.S, X.P.S., U.P.S, L.E.E.D), auxquelles sont associées des techniques ex-situ qui sont la microscopie électronique à transmission et les mesures électriques (résistivité et effet Hall), ont montré que le FeSi2 est obtenu à partir d'une température de recuit de 500 ° C. Le film est stable jusqu'à 650 ° C, température au delà de laquelle il se rompt en îlots.
La qualité cristalline des films obtenus dépend beaucoup de l'orientation du substrat utilisé. Sur la face Si (111) tout le film est épitaxié. Sur la face Si (100) aucune épitaxie n'a été obtenue, et sur une face Si (100) vicinale une épitaxie partielle a été observée.
Le caractère semiconducteur des films formés a été vérifié par le comportement de leur résistivité en fonction de la température. Ils présentent cependant un dopage P for élevé (10.. cm-3)
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)