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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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Mots clés

Group III-nitrides CRYSTALS Free-standing GaN Atom probe tomography AlN Electron holography AlGaN/GaN HEMT Silicon carbide Aluminum nitride ZnO Heterostructures III-nitrides Al Silicon Semiconducteurs 6H-SiC Normally-off Boîtes quantiques Metalens Contraintes LEDs Transmission electron microscopy Croissance Bending Chemical vapor deposition Graphene High electron mobility transistors Nitrure de gallium Schottky barrier diode High electron mobility transistor Holography Quantum dots MOCVD Nitrides Defects Gallium nitride Transistor Epitaxy Épitaxie par jets moléculaires Electrical properties and parameters InGaN Épitaxie Nanoparticles Aluminum gallium nitride Tunnel junction LED Nanostructures Gallium nitride GaN Doping MBE High electron mobility transistor HEMT AlGaN/GaN III-N Photoluminescence Silicium Strong coupling Nitrures d'éléments III Traps Bond order wave Light emitting diodes Semiconductors Molecular beam epitaxy MBE Cathodoluminescence Diffraction Quantum wells Chemical vapor deposition processes Zinc oxide Selective area growth GaN HEMT Molecular beam epitaxy Creep Caractérisation Bullseye antennas Characterization Microcavity Spectroscopy Boron nitride Excitons CVD 3C–SiC HEMT GaN Microscopie électronique en transmission Millimeter-wave power density Dislocations Silica Metasurface Metasurfaces Atomic force microscopy Optical properties GaN-on-Si DLTFS Compressive stress 2D materials LPCVD AlGaN Coalescence III-nitride semiconductors Nanowire Diodes électroluminescentes