Propriétés de transport de systèmes électroniques fortement corrélés
Résumé
Transport properties of the two strongly correlated systems (V0.989 Cr0.011)2O3 and k-(BEDT-TTF)2 Cu[N(CN)2]Cl have been investigated in the vicinity of the Mott transition as a function of pressure and temperature. A variable pressure technique, at low and high temperatures, has allowed a determination of the coexistence regions between metallic and insulating states defined by hysteresis cycles up to the critical point (TC, PC). Critical behaviour of the conductivity in (V0.989 Cr0.011)2O3 has displayed a complete analogy with liquid-gas transition, in accordance with theoretical prediction obtained in the frame of DMFT model. The scaling analysis has demonstrated that the universality of the Mott transition was these of the 3D Ising model. For the two materials, we have detected in the insulating state an activated behaviour of the resistivity with a gap decreasing with pressure but still finite and much bigger than temperature before transition. Besides, metallic transport has exhibited a first crossover between a low temperature Fermi liquid regime (T>T*) between the incoherent metallic regime and an insulating regime.
Les propriétés de transport des deux systèmes fortement corrélés (V0.989 Cr0.011)2O3 et k-(BEDT-TTF)2 Cu[N(CN)2]Cl ont été étudiées au voisinage de la transition de Mott en fonction de la température et de la pression. La technique de pression variable, à haute et basse températures, a permis de déterminer les domaines de coexistence métallique et isolant définis par les lignes spinodales des hystérésis jusqu'au point critique terminal (TC, PC). L'analyse du comportement critique de la conductivité du composé (V0.989 Cr0.011)2O3 a révélé une complète analogie avec la transition liquide-gaz en accord avec les prédictions obtenues dans le cadre du modèle DMFT. Nous avons ainsi montré par une analyse d'échelle que la classe d'universalité de la transition de Mott dans ce composé était celle du modèle d'Ising 3D. Dans les deux systèmes, nous avons mesuré dans la phase isolante à basse température ( TT*) entre le régime métallique incohérent et un régime isolant.
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