La course à la miniaturisation des circuits intégrés provoque l'apparition d'un certain nombre d'effets parasites, venant dégrader les caractéristiques électriques des dispositifs. Ce sont les fuites de grille croissant avec la réduction de l'épaisseur de diélectrique dans la capacité MOS. Dans ce cadre, il s'agit plus précisément de réaliser des structures (capacité) MOS/4H-SiC et d'étudier le comportement électrique du système (SiO2/SiC) formés afin d'en évaluer sa qualité, dont le but est d'acquérir une parfaite connaissance et une bonne maitrise des phénomènes de transports de courant de fuite à travers l'oxyde de grille. Aussi, dans un premier temps, à partir de cette caractérisation à température ambiante, différents mécanismes de conduction à travers l'oxyde sont apparus dans différentes gammes de champ électrique et avec la méthode des moindres carrés nous pouvons extraire plusieurs paramètres physiques de la structure. Nous nous intéressons ensuite à l'étude en température de l'émission Fowler-Nordheim, car il joue un role dominant, notamment dans la destruction des composants, en utilisant les trois modèles proposés, le modèle de Good-Muller, le modèle de Snow-Lenzlinger et le modèle de Pananakakis, cette étude nécessite l'utilisation des méthodes d'optimisation non déterministe comme la méthode du recuit simulé et la méthode des algorithmes génétiques. Enfin, nous avons étudier l'extraction des paramètres physiques dans les structures réelles à base de 4H-SiC en utilisant la méthode des algorithmes génétiques.