Durant cette thèse, des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe:C (HBTs) issus de technologies BiCMOS développées pour des applications RF, THz et mm-wave sont étudiés. La principale technologie étudiée dans ce travail, BiCMOS B55, est basée sur un nœud CMOS 55 nm et elle est comparée à une génération plus mature BiCMOS9MW développée sur un nœud CMOS 130 nm. L’objectif principal de ces travaux est d’analyser l’impact des rayonnements X et Gamma sur ces composants par des mesures de bruit basse fréquence. Le bruit basse fréquence est une technique de mesure très sensible et non destructive utilisée comme indicateur de qualité et de performance durant le développement technologique. Les effets de certains paramètres technologiques de la filière B55, comme différentes structures de Collecteur et deux techniques d’activation des dopants de la jonction Emetteur-Base, sont étudiés à la fois sur les mesures DC et sur les composantes de bruit en excès : courbes de Gummel, bruit en 1/f et composantes de Génération-Recombination. A partir de la modélisation compacte du bruit basse fréquence, les sources de bruits associées sont localisées à la surface et à la périphérie de la jonction E-B. Ensuite, les effets induits par les rayonnements X et Gamma sur les mesures DC (courant de base excédentaire) et LFN (bruit en 1/f et composantes G-R) sont étudiés en fonction de la dose ionisante cumulée (TID). Le principal résultat est la tolérance aux irradiations plus élevée de la technologie B55. De plus, l’analyse de ces effets par rapport au courant de base et aux paramètres géométriques a permis de développer des modèles compacts, de manière classique pour le bruit en 1/f et de manière plus innovante pour les composantes G-R. Il est suggéré que les sources de bruit induites par les irradiations soient situées à proximité des oxydes spacer et STI. Enfin, un effet de guérison par recuit thermique des défauts générés est également mis en évidence.