La photonique sur silicium est une technologie prometteuse pour les systèmes de communication à haut débit, les interconnexions optiques à courte portée et pour le déploiement des technologies quantiques. La croissance de matériaux III-V sur silicium constitue également une solution idéale pour la prochaine génération de circuits photoniques intégrés (PIC). Dans ce contexte, les lasers à îlots quantiques (QD) utilisant des atomes semi-conducteurs comme milieu de gain sont des candidats très prometteurs en raison de leur compacité, de leur grande stabilité thermique et d’une tolérance accrue aux défauts structuraux. L'objectif de cette thèse est d'étudier les propriétés non-linéaires et les dynamiques des lasers QD sur Si en vue des applications susmentionnées. La première partie se polarise sur les lasers QD directement épitaxiés sur Si en présence de contre-réaction optique (EOF). Dans le régime de cavité courte, les résultats rapportent des tolérances élevées aux réflexions parasites ce qui rend possible l’intégration de ces sources sur des PIC dépourvus d’isolateur optique. Par ailleurs, la réduction du facteur d’élargissement spectral est un déterminant fondamental permettant d'atteindre cet objectif. La deuxième partie analyse les propriétés statiques et dynamiques d'un laser QD à rétroaction optique distribuée (DFB) pour des applications sans isolateur et sans Peltier. Pour ce faire, la conception du laser intègre un désaccord entre le pic de gain et le pic d’émission DFB contrôlable par la variation de température. Par conséquent, les performances du laser sont substantiellement améliorées avec l'augmentation de la température. La troisième partie du manuscrit aborde les lasers QD sur Si pour la génération de peigne de fréquences optiques (OFC). Les techniques de contrôles externes comme la contre-réaction et l'injection optique sont utilisées pour régénérer les performances notamment le bruit de phase, la gigue temporelle et la bande passante d'émission du peigne. La dernière partie s'articule autour des non-linéarités optiques dans les lasers QD sur Si notamment sous l'angle du mélange à quatre ondes (FWM). L'étude montre que l'efficacité FWM du laser QD est supérieure de plus d'un ordre de grandeur à celle d'un laser à puits quantiques prouvant ainsi que les milieux QD sont très efficaces pour obtenir des peignes de fréquence de grande qualité et de l’auto blocage de mode. Ce travail démontre l'importance des solutions lasers QD en particulier pour les technologies photoniques intégrées sur Si.