Parmi les alliages de nitrures III-V, l'InAlN a suscité un grand intérêt technologique ces dernières années en raison de sa large bande interdite et de sa concordance de réseau avec le GaN à une composition d'indium de 18%, avec comme application une meilleure barrière pour la prochaine génération de transistors à haute mobilité électronique (HEMT). Cependant, sa qualité cristalline se dégrade avec l'augmentation de l'épaisseur. A l’aide de la simulation numérique utilisant le potentiel empirique Stillinger-Weber, nous avons proposé un mécanisme de dégradation des couches InAlN par la ségrégation de phases (formation des clusters d’InN) basé sur la relaxation de contrainte due à l’interaction entre des éléments d’alliage (indium) et des défauts ponctuels. Le rayon de cluster le plus fovorable est de l’ordre de 6 Å. L’agrandissement de la taille de cluster peut être également expliqué par ce mécanisme de relaxation de contrainte. Le même type de comportement dans InGaN et AlGaN est aussi possible, mais avec un effet moins important voire nul. Ces résultats concordent avec les observations expérimentales.