La compréhension des mécanismes de transport thermique dans les nanostructures et les nanomatériaux est primordiale pour optimiser leur utilisation dans les nano-dispositifs. En effet, les comportements et la fiabilité de ces nano-dispositifs dépendent fortement de la façon dont les systèmes dissipent la chaleur. De plus, les interfaces sont des éléments prépondérants dans la dissipation thermique. Dans ce travail, des simulations à l’échelle atomique sont réalisées pour déterminer les résistances thermiques d’interfaces. La méthode utilisée est la dynamique moléculaire ab initio, selon l’approche Car-Parrinello. Les propriétés thermiques sont déterminées en appliquant la méthode AEMD (Approach-to-Equilibrium Molecular Dynamics). L’AEMD est basée sur l'étude de transitoires de chaleur, ce qui permet de réduire les coûts de calcul et de pouvoir utiliser la dynamique moléculaire ab initio. Dans ce travail, je commencerai par présenter les méthodes que j’ai utilisées, c’est-à-dire la dynamique moléculaire de Car-Parrinello et la méthode AEMD. Ensuite, je présenterai une première application de cette combinaison au calcul de la résistance thermique d'une couche moléculaire entre deux réservoirs de chaleur. Les résultats obtenus sont confrontés à une expérience de caractérisation thermique par sonde locale. L’AEMD sera ensuite appliquée pour calculer la conductivité thermique du SiO2 amorphe. Cette étude me servira par ailleurs dans la dernière étape de mon travail qui consiste à calculer la la résistance thermique de l'interface abrupte entre le Ge2Sb2Te5 amorphe et le SiO2 amorphe. Un excellent accord avec la mesure permet de mettre en avant la prédictivité quantitative de l'approche de simulation utilisée.