Dans l'optique d'accroitre les débits des télécommunications ainsi que la précision et la portée de détection des systèmes radars modernes, l'amélioration du facteur de bruit d'une liaison est devenue essentielle. Comme le démontre la formule de FRIIS , le facteur de bruit d'une architecture de réception est majoritairement déterminé par le facteur de bruit du premier étage. Il apparait alors nécessaire de placer en amont de cette dernière un amplificateur faible bruit (LNA). Ce dernier peut être confronté à des agressions électromagnétiques (EM) pouvant détériorer, voir rendre inopérant le système, en fonction de l'application visée. Il est donc nécessaire de concevoir des LNA robustes vis-à-vis de ces agressions EM. Par leurs caractéristiques intrinsèques (large bande interdite, tension de claquage élevée et bonne conductivité thermique...) les technologies nitrure de gallium (GaN) sont d'excellentes candidates pour l'implémentation d'amplificateur faible bruit. En effet, la robustesse naturelle offerte par ce matériau permet de s'affranchir des dispositifs de protection tels que les limiteurs de puissance utilisés en technologie GaAs ou SiGe. Les contraintes des systèmes modernes poussent ces derniers à maintenir leurs caractéristiques même lorsqu'ils sont soumis à des agressions EM. Les topologies d'amplificateurs faible bruit doivent donc pouvoir répondre au double objectif de forte détectivité (faible facteur de bruit HF) et de grande linéarité (forte puissance) aux fréquences d'utilisation. Afin d'augmenter la linéarité d'un LNA, une stratégie consiste à surdimensionner le transistor (dimensions physiques ou électriques plus importantes que celles nécessaires pour un facteur de bruit optimal). Les performances non linéaires se trouvent alors améliorées au détriment des paramètres de bruits et/ou petits signaux. Cette thèse propose une nouvelle approche permettant d'exploiter simultanément les caractéristiques non linéaires d'une conception de LNA initialement optimisée sur les paramètres de bruit en améliorant le comportement non-linéaire de l'élément actif via un changement de son point de repos. Cette stratégie oblige à des études plus poussées sur la stabilité de tels systèmes, et des chemins critiques de repolarisation, toujours délicats à appréhender pour les technologies nitrures. Une étude comparative ainsi qu'un état de l'art plus global permet de situer notre solution dans le spectre des possibilités offertes dans l'optique d'obtenir un système faible bruit et robuste. Des tests dynamiques et en bruit HF avant et après contraintes sous signal RF par créneau vient appuyer l'approche proposée.