Optimisation du dépôt par ablation laser de films minces d'alumine et de carbone tétraédrique amorphe pure et dopé; propriétés des couches et intégration dans le fabrication de composants MEMS RF - TEL - Thèses en ligne Accéder directement au contenu
Thèse Année : 2003

Optimization of process parameters for pulsed laser deposition of pure and doped ta-C and aluminum oxide at room temperature. Integration in RF MEMS components.

Optimisation du dépôt par ablation laser de films minces d'alumine et de carbone tétraédrique amorphe pure et dopé; propriétés des couches et intégration dans le fabrication de composants MEMS RF

Résumé

The fist part of this work is devoted to the pulsed laser deposition process. We propose solutions for the two main problems of PLD : the ejection of micron-sized particles and the non uniformity of film thickness profile. In the second part, we study the properties of alumina and pure and doped tetrahedral amorphous carbon deposited by laser ablation under high vacuum and at room temperature. In the last part, we present the insertion of these two materials in radio frequency micro electro mechanical system.
Ce travail consiste en l'optimisation des conditions de dépôt par ablation laser à température ambiante du carbone et de l'alumine. Il se divise en huit parties principales. Le premier chapitre est une présentation du contexte de l'émergence des couches de carbone et d'alumine par ablation laser. le deuxième chapitre décrit les dispositifs expérimentaux et modes opératoires mis en œuvre, qu'ils concernent l'élaboration des films aussi bien que la détermination de leurs propriétés. Les deux chapitres suivants s'intéressent à résoudre les principaux défauts de l'ablation laser à savoir : La projection de particules solides lors du dépôt (chapitre 3) L'inhomogénéité en épaisseur des couches réalisées sur sustrat fixe (chapitre 4) le cinquième chapitre est consacré à l'étude des propriétés structurelles, électriques et mécaniques des couches de ta-C en fonction des conditiond de dépôt. Ce travail s'appuie sur une étude de l'énergie des ions dans le panache plasma (spectroscopie, imagerie résolue temporellement et spectralement) et leur rôle dans la croissance des films de ta-C (analyses Raman, XPS, MET...). le sixième chapitre reprend une étude similaire à ce qui a été présenté dans le chapitre précédent en l'applicant aux couches minces d'alumine par ablation laser. Enfin le dernier chapitre est consacré à l'intégration, dans les composants MEMS RF, des films d'alumine et de ta-C déposés par ablation laser. Ce chapitre rapporte les résultats de la collaboration menée avec l'IRCOM pour réaliser des composants fonctionnels (microcommutateurs RF, filtres accordables ...) à base de couches minces déposées par ablation laser.
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  • HAL Id : tel-00006701 , version 1

Citer

Jean-Christophe Orlianges. Optimisation du dépôt par ablation laser de films minces d'alumine et de carbone tétraédrique amorphe pure et dopé; propriétés des couches et intégration dans le fabrication de composants MEMS RF. Matériaux. Université de Limoges, 2003. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00006701⟩
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