Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de Bore dans le Silicium - TEL - Thèses en ligne Accéder directement au contenu
Thèse Année : 1972

Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de Bore dans le Silicium

Résumé

Indisponible

Mots clés

Domaines

Matériaux
Fichier principal
Vignette du fichier
884.pdf (5.03 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

tel-00176339 , version 1 (03-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : tel-00176339 , version 1

Citer

Jean Bodinaud. Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de Bore dans le Silicium. Matériaux. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1972. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00176339⟩
525 Consultations
80 Téléchargements

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More