Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires - TEL - Thèses en ligne Accéder directement au contenu
Thèse Année : 1981

Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires

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Dates et versions

tel-00178837 , version 1 (12-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : tel-00178837 , version 1

Citer

Servando Baceiredo. Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1981. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00178837⟩
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