Etude et réalisation de diodes laser Ga-Al-As à double hétérojonction émettant dans le spectre visible - TEL - Thèses en ligne Access content directly
Theses Year : 1983

Etude et réalisation de diodes laser Ga-Al-As à double hétérojonction émettant dans le spectre visible

Abstract

EVALUATION DES CONDITIONS DE FAISABILITE DE DIODES LASER A SEMICONDUCTEUR GaAlAs EMETTANT DANS LE SPECTRE VISIBLE. ESTIMATION DE LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION MINIMALE REALISABLE AVEC DE TELS DISPOSITIFS
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Dates and versions

tel-00181398 , version 1 (23-10-2007)

Identifiers

  • HAL Id : tel-00181398 , version 1

Cite

Alain Bensoussan. Etude et réalisation de diodes laser Ga-Al-As à double hétérojonction émettant dans le spectre visible. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Toulouse, 1983. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00181398⟩
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