65nm CMOS SOI potentialities for millimeter wave wireless applications
Potentialités de la technologie CMOS 65nm SOI pour des applications sans fils en bande millimétrique
Résumé
As the 65nm CMOS SOI technology was not initially developed for millimeter wave design, this work demonstrates the advantages of using this technology for applications at such high frequencies. The demonstration is focused on two parts. First active and passive devices are studied in order to evaluate the potentiality for low noise and high gain performances at millimeter frequencies. Different figures of merit are introduced for both actives and passives. Characterization and modeling techniques improvement are developed in this work. In a second part, reception millimeter wave building blocks are developed such as low noise amplifiers and mixers.
Dans le cadre des nouvelles applications dans la bande de fréquence millimétrique, une évaluation de la technologie CMOS 65nm SOI pour la conception de circuits est proposée. Cette évaluation s'articule autour de deux axes principaux. Tout d'abord les composants actifs et passifs spécifiques à la technologie font l'objet d'une étude en terme de performances et de modélisations. Ensuite la technologie est évaluée au travers l'exemple de circuits composant une chaîne de réception
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