Méthodologie de prédiction des effets destructifs dus à l'environnement radiatif naturel sur les MOSFETs et IGBTs de puissance - TEL - Thèses en ligne Accéder directement au contenu
Thèse Année : 2009

Méthodologie de prédiction des effets destructifs dus à l'environnement radiatif naturel sur les MOSFETs et IGBTs de puissance

Résumé

These works define a new methodology for the characterisation and prediction of the sensitivity of power devices type VDMOS to the natural radiation environment. This methodology is based on laser tests on one hand and on the development of a prediction software named MC DASIE on the other. The method of characterisation of power MOSFETs with laser testing is validated through the comparison of the results obtained with particle accelerators. Furthermore, laser mapping of the sensitivity is presented and the advantage of using the laser as a complementary tool of accelerators is highlighted. The development of an extension of the MC DASIE prediction software to power MOSFETs allows one to predict their sensitivity in an atmospheric environment. To this end, TCAD simulations are achieved; they allow for a better understanding of the Burnout phenomenon as well as the definitions of the triggering criteria and the volume of interaction.
Ces travaux contribuent à définir une nouvelle méthodologie de caractérisation et de prévision de la sensibilité des composants de puissance de type VDMOS vis à vis de l'environnement radiatif naturel. Cette méthodologie est basée sur le test laser d'une part et sur le développement d'un logiciel de prédiction nommé MC DASIE d'autre part. La méthode de caractérisation par laser de MOS de puissance est validée à partir de la comparaison des résultats obtenus avec des accélérateurs de particules. En outre, des cartographies laser de sensibilités sont présentées et l'intérêt du laser comme outil complémentaire des accélérateurs est mis en lumière. Le développement d'une extension du logiciel de prédiction MC DASIE aux MOS de puissance permet de prédire leur sensibilité dans un environnement atmosphérique. A cette fin, des simulations TCAD sont réalisées ; elles permettent une meilleure compréhension du phénomène de Burnout ainsi que la définition de critères de déclenchement et du volume d'interaction.
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Dates et versions

tel-00512340 , version 1 (30-08-2010)

Identifiants

  • HAL Id : tel-00512340 , version 1

Citer

Aurore Luu. Méthodologie de prédiction des effets destructifs dus à l'environnement radiatif naturel sur les MOSFETs et IGBTs de puissance. Réseaux et télécommunications [cs.NI]. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2009. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00512340⟩
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