Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power") - TEL - Thèses en ligne Accéder directement au contenu
Thèse Année : 2010

Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

Résumé

In recent decades, power integrated circuits have experienced very significant growth. Today the regulation and distribution of electrical energy are crucial. The reduction of the dimensions and the need for power highlighted the need for efficient structures. Technology "smart power" has been developed to meet these demands. This technology uses high voltage devices, offering new solutions through its unique characteristics at high voltages and currents. The behavior of these devices is accompanied by the appearance of many phenomena. An accurate modeling of these phenomena is needed to replicate its physical behavior. The objective of this thesis is to improve modeling and to establish a good method of extracting physical parameters related to HV MOS. This thesis has been mainly devoted to modeling the phenomenon of self-heating: development of test structure, modeling of thermal coupling between the sources of transistor, development tool for generating the thermal network. This thesis also looks at the definition of a method for extracting RF noise in the high-voltage transistor including extrinsic gate resistance and capacity Cgs and Cgd. Finally, the last part of the thesis presents a brief assessment of compact HiSIM_HV dedicated to HV MOS and compares it with the macro model used by STMicroelectronics. The results presented in this thesis have been validated by comparison with different measures on SOI technology and solid substrate.
Au cours des dernières décennies, les circuits intégrés de puissance ont connu une croissance très importante. Aujourd'hui la régulation et distribution d'énergie électrique jouent un rôle crucial. La réduction constante des dimensions ainsi que le besoin en densité de puissance de plus en plus élevée ont mis en évidence la nécessité de structures toujours plus performantes. La technologie "smart power" a été développée pour satisfaire ces demandes. Cette technologie utilise les dispositifs DMOS, offrant de nouvelles solutions grâce à ses caractéristiques uniques forte tension et fort courant. Le fonctionnement de ces dispositifs est accompagné par l'apparition de nombreux phénomènes. Une bonne modélisation permet de rendre compte de ces phénomènes et prédire le comportement physique du transistor avant sa production. L'objectif de cette thèse était donc d'améliorer la modélisation et de mettre en place une méthode d'extraction de certains paramètres physiques liés au fonctionnement du MOS HV (High Voltage). Cette thèse a été principalement dédiée à la modélisation du phénomène de l'auto-échauffement et à la définition d'une méthode d'extraction des parasites RF dans les transistors MOS et, enfin, à la comparaison du macro-modèle utilisé par STMicroelectronics avec le modèle compact HiSIM_HV dédié au MOS HV. Pour cela, il était essentiel de mettre en place des nouvelles procédures de modélisation et d'extraction et de dessiner des structures de test spécifiques. Les résultats présentés dans cette thèse ont été validés par différentes comparaisons avec les mesures en technologies sur SOI et sur substrat massif.
Fichier principal
Vignette du fichier
ThA_se_SaA_dia_HNIKI.pdf (6.27 Mo) Télécharger le fichier
Loading...

Dates et versions

tel-00581114 , version 1 (30-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : tel-00581114 , version 1

Citer

Saadia Hniki. Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power"). Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00581114⟩
258 Consultations
848 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More