Les nitrures des éléments III-V, ont été largement étudiés en raison de leurs applications dans les diodes électroluminescentes DEL, les diodes laser et les photodétecteurs. L’énergie de la bande interdite « Gap » de ces alliages ternaires ou quaternaires peut être ajustée en fonction de la composition, à des énergies de photons allant de l'infrarouge à l'ultraviolet. Ce gap direct ajustable sur une large gamme, rend ces matériaux très utiles pour les applications photovoltaïques en raison de la possibilité d'inventer non seulement des cellules solaires multi-jonction à haut rendement, mais également les cellules solaires de troisième génération comme les cellules à bandes intermédiaires, reposant uniquement sur les alliages nitrures. En plus de leur grand gap ajustable, les nitrures montrent également d’autres propriétés photovoltaïques intéressantes, comme de faibles masses effectives des porteurs de charge, de fortes mobilités, des coefficients d'absorption élevés ainsi qu’une tolérance aux radiations. La technologie des nitrures III-V a démontré sa capacité à croître des structures cristallines de haute qualité et à fabriquer des dispositifs optoélectroniques, ce qui confirme son potentiel pour le solaire photovoltaïque à très haut rendement. En intégrant ce matériau avec une jonction de silicium cristallin, nous pourrons avoir une cellule multijonction à très haut rendement avec un coût compétitive.