Dans la transition vers l’avion plus électrique, un des verrous technologiques est l'échauffement des composants électroniques ce qui affecte fortement leurs fiabilités et leurs durées de vie. Par conséquence, il est nécessaire de contrôler la température des cartes électroniques. Cette thèse a pour objectif de construire deux modèles thermiques réduits permettant de suivre en temps réel la température des composants électroniques. La différence entre le modèle réduit directe (MRD) et le modèle réduit inverse (MRI) réside dans les paramètres d'entrée et le formalisme mathématique de leurs constructions. Pour le MRD, les paramètres d'entrées sont les conditions aux limites. Ce modèle est élaboré sur deux étapes. La première étape consiste à construire une base réduite représentative de la solution en appliquant la POD (Proper Orthogonal Decomposition) sur une matrice snapshots. La matrice snapshots regroupe la solution du modèle éléments finis (MEF). La deuxième étape consiste à calculer les coordonnées d'une nouvelle solution en utilisant la projection de Galerkin du MEF sur la base réduite. Un MRD construit avec 10 modes diminue considérablement le temps de calcul et réalise une erreur absolue inférieure à 0,1 °C en dehors des variations brusques de puissance. Pour le MRI, les paramètres d'entrées sont les températures des capteurs implantés loin des composants électroniques. Ce modèle n'a pas besoin de connaitre les conditions aux limites comme le MRD. La première étape consiste à construire une base réduite qui couple les températures dans les composants électroniques et dans les capteurs de températures en utilisant la POD. La deuxième étape consiste à identifier les coordonnées des températures des composants électroniques à partir des mesures en utilisant un algorithme de minimisation. L'erreur du MRI d'ordre 3 ne dépasse pas 0,6 °C en dehors des variations brusques de puissance.