L'avènement du Big Data, Machine Learning (ML) et 5G a l’importance de certains paramètres clé des technologies mémoire tels que la consommation d'énergie, la non-volatilité, la vitesse, la taille et l'endurance. Les mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM) telles que les MRAM à couple de transfert de spin (STT-MRAM) et les MRAM à couple de spin orbite (SOT-MRAM) sont devenues des concurrents incontournables de ce marché, dans l’objectif de remplacer les RAM statiques (SRAM) et les RAM dynamiques (DRAM) actuelles basées sur la technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor). La commutation d’un bit mémoire dans les SOT-MRAMs s'appuie sur les spins générés via le couplage spin orbite (SOC) par l'application d'un courant de charge à travers un métal lourds (HM). Ces HM étant résistifs, des pertes ohmiques existent pendant le processus d'écriture. Un vaste corpus de travaux, tant universitaires qu'industriels, a été consacré à la recherche de moyens pour minimiser ces pertes et ainsi améliorer l'efficacité énergétique. De plus, le courant injecté dans la mémoire lors du processus d'écriture est contrôlé par un transistor de commutation CMOS. La taille de ce transistor augmente avec le courant de commutation. Par conséquent, une réduction de ce courant conduit également à un gain de densité de la mémoire.Diverses approches visant à améliorer la génération de spins par unité de courant appliqué ont été adoptées pour atteindre cet objectif. Les premières ont consisté à utiliser des métaux de transition présentant un SOC élevé, des alliages métalliques et/ou une phase structurelle résistive du métal. Des travaux plus récents se sont concentrés sur l'ingénierie de l’interface : insertion de couches ultrafines et utilisation de couches de capping formant des puits de spin. L'une des approches actuelles concerne l'utilisation de l'oxydation comme moyen d'augmenter les SOT. Différents groupes ont étudié l'effet de l'oxydation du HM, du Ferro-Magnétique (FM) ainsi que de la couche de capping constituée de métaux plus légers comme le cuivre. Bien que la majorité de ces travaux fass état d'une augmentation des SOT, les résultats et les conclusions ne sont pas cohérents. Des tendances divergentes d'augmentation des SOT, qui ont, à leur tour, été attribuées à des phénomènes physiques variés. Dans ce travail, nous étudions les SOTs générés par l'oxydation de la couche de platine dans une pile multicouche Ta/Cu/Co/Pt.Dans ce système, nous quantifions les SOTs en mesurant les couples par une technique de seconde harmonique. Nous observons en effet une augmentation des couples. Ceci est vérifié par des mesures de spin pumping qui montrent une augmentation de l'amortissement. Afin de déterminer l'origine de cette augmentation, nous avons construit un modèle décrivant l'oxydation du système basé sur des caractérisations électriques, magnétiques et matérielles ansi que des calculs ab-initio de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). Ceci nous a conduit à la conclusion que contrairement aux travaux précédents, qui expliquaient les résultats en se basant exclusivement sur un modèle où seul le HM était oxydé, dans la pratique l'oxygène près de l'interface FM/HM est pompé dans la couche FM. Ce phénomènz ne conduit pas seulement à une oxydation FM, mais laisse aussi le HM métallique à proximité de l'interface. En outre, ce modèle a été étayé par des mesures et des calculs des échanges symétrique et anti-symétrique. En tenant compte de ces observations et une fois les SOT quantifiés corrigés, nous ne constatons aucune augmentation observable des couples. Ceci nous amène à conclure que bien qu'au niveau du système il y ait une augmentation des SOTs avec l’oxydation du platine, il n'y a pas de contribution intrinsèque de l'oxyde de platine à l'augmentation des couples. Cette découverte a de vastes conséquences sur la conception de SOT-MRAM, affectant l'endurance, la consommation d'énergie et la magnéto-résistance tunnel (TMR).