Les travaux de recherche présentés dans cette thèse s'inscrivent dans les efforts de veille technologique menés à l'ONERA sur l'amélioration des performances des photodétecteurs infrarouges. Depuis ses débuts, la filière super-réseau a vu sa maturité technologique évoluer passant du statut de filière à l'étude dans les laboratoires de recherche à celui de filière technologiquement mature remportant des contrats industriels. Ses avantages en termes d'opérabilité pour les détecteurs matriciels, son absorption décente menant à des bons rendements et son courant d'obscurité relativement faible lui ont permis de faire concurrence aux autres technologies en place. Cependant malgré ses promesses initiales de limitations inférieures dues au matériau, elle reste généralement moins performante dans le LWIR que sa concurrente principale, la filière HgCdTe, pour le courant d'obscurité et le rendement quantique externe. Or, le courant d'obscurité est l'un des enjeux majeurs de la photodétection infrarouge puisqu'il impose un refroidissement à des températures cryogéniques du détecteur. Ces détecteurs nécessitent donc l'utilisation de machine à froid d'autant plus volumineuses, lourdes et consommatrices d'énergie que la température de fonctionnement à atteindre est basse. Plusieurs solutions technologiques sont donc à l'étude pour l'abaissement du courant d'obscurité permettant ainsi l'augmentation des températures de fonctionnement à performances égales. La réduction de l'épaisseur du détecteur (traditionnellement de plusieurs micromètres) est l'une de ces solutions. La chute d'absorption qui en est la conséquence peut être compensée par l'intégration de celui-ci dans une structure piégeant la lumière aux longueur d'ondes de détection. Conventionnellement réalisées en métal, le dépôt de ces structures complexifie la fabrication de tels détecteurs. Cependant, de telles structures peuvent aussi être réalisées en semiconducteurs fortement dopés, offrant une meilleure flexibilité et une meilleure compatibilité avec les technologies de croissance des détecteurs. Dans ce manuscrit, nous présentons la conception et la caractérisation de trois structures résonantes en tout semiconducteur intégrants un détecteur : l'une reposant sur une cavité Fabry-Perot intégrant un détecteur de 550 nm; deux structures multirésonantes l'une fine de 300 nm, l'autre de 1,6 μm, intégrant le détecteur entre un réseau supérieur et un miroir arrière. La structure Fabry-Perot (C2032-FP) a pu être caractérisée optiquement comme électro-optiquement aux côtés d'un échantillon de référence (C2000-REF) proposant le même détecteur sans cavité résonante. Les mesures optiques ont permis de montrer l'apparition de la résonance. Les caractérisations électro-optiques ont révélé une évolution du courant d'obscurité avec la température avantageuse comparée à la littérature ainsi qu'un gain d'au moins un facteur deux en rendement quantique externe par rapport à la structure de référence. Ceci est cohérent avec la valeur trouvée dans la littérature pour une structure de ce type résonant à 10 µm (facteur 2,7). Les deux structures multirésonantes ont été caractérisées optiquement. Ces mesures ont mis en évidence que la dépendance de la gravure à la direction cristalline ainsi que la présence résiduelle d'un fond de gravure pouvaient fortement influencer le spectre d'absorption final des structures. Elles ont cependant prouvé que l'utilisation de telles structures peut mener à la réalisation de structure à large bande d'absorption, polarisante ou non. Enfin une étude théorique a été menée afin d'évaluer la faisabilité de structures accordables, intégrants des puits quantiques en plus du détecteur et reposant sur l'effet Stark. Ces efforts de simulation nous ont permis de proposer deux structures, l'une reposant sur une résonance de mode guidé, l'autre plasmonique, qui pourraient permettre un accord spectral électrique du détecteur.