Ingénierie des contraintes de films minces d'oxydes de LaNiO3 : les substrats piézoélectriques - TEL - Thèses en ligne Accéder directement au contenu
Thèse Année : 2012

Innovating in the engineering of the thin oxide film strains : piezoelectric substrates

Ingénierie des contraintes de films minces d'oxydes de LaNiO3 : les substrats piézoélectriques

Résumé

This work was born from the idea of ​​combining materials in thin films form, an area that motivates many years researchers LMGP, to substrates with high piezoelectric coefficients of deformation. Piezoelectric materials can convert electrical energy into mechanical energy (strain) and vice versa. So we can imagine that a thin film synthesized on the surface of a piezoelectric substrate will benefit from the substrate deformation when subjected to an electric field. The substrate involved is the PMN-PT, a compound that shows high piezoelectric coefficient. In this study the film synthesized is the LaNiO3. It crystallizes in a perovskite structure ABO3. This structure has the advantage of a wide variety of structural distortions and can accommodate a large number of chemical elements.
Ce travail est né de l'idée d'associer l'ingénierie des matériaux sous forme de couches minces, domaine qui motive depuis de nombreuses années les chercheurs du LMGP, à des substrats piézoélectriques à fort coefficients de déformation. Les matériaux piézoélectriques peuvent convertir une énergie électrique en une énergie mécanique (de déformation) et vice-versa. Il est alors aisé d'imaginer qu'une couche mince synthétisée à la surface d'un substrat piézoélectrique profitera de la déformation de ce dernier quand il est soumit à un champ électrique. Le substrat mis en jeu est le PMN-PT, composé qui présente de forts coefficients de déformation. Dans cette étude le film synthétisé et mis en œuvre est le LaNiO3. Il cristallise dans une structure pérovskite ABO3. Cette structure présente l'avantage de permettre une grande variété de distorsions structurales et peut accueillir un grand nombre d'éléments chimiques.
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Origine : Version validée par le jury (STAR)
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Dates et versions

tel-00721808 , version 1 (30-07-2012)

Identifiants

  • HAL Id : tel-00721808 , version 1

Citer

Nicolas Chaban. Ingénierie des contraintes de films minces d'oxydes de LaNiO3 : les substrats piézoélectriques. Autre. Université de Grenoble, 2012. Français. ⟨NNT : 2012GRENI008⟩. ⟨tel-00721808⟩
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