Les mémoires résistives non volatiles basées sur les oxydes (OxRAM) acquièrent récemment un grand intérêt pour leurs performances, ce qui en fait des candidats prometteurs comme mémoire de stockage pour remplacer la technologie flash, et comme mémoires intégrées pour les applications réseau de neurones. Néanmoins, les dispositifs OxRAM émergents présentent encore certains inconvénients, comme la non-uniformité des paramètres de commutation et les défaillances de commutation. Surmonter ces inconvénients exige une compréhension plus profonde des principes de fonctionnement de l’OxRAM, jusqu’à présent pas complètement compris. Ceci peut être réalisé au moyen de simulations textit{ab initio}. Ce travail présente donc une étude approfondie de HfO₂, qui fait partie des matériaux les plus prometteurs pour la construction de dispositifs OxRAM, au moyen de calculs précis des états de quasi-particules (QP). Une étude des propriétés du transport électronique dans les dispositifs OxRAM est également de première importance. Toutefois, cela nécessite un cadre théorique solide et fiable afin de calculer la conductance des jonctions métal/isolant. L’approche standard, basée sur la théorie fonctionnelle de la densité, le formalisme de la fonction de Green et la formule de Landauer, a quelques limites et soucis de fiabilité. Ce travail propose une approche plus fiable basée sur les calculs QP, qui fournissent une structure électronique plus précise pour calculer la conductance, et teste en grande partie cette nouvelle méthode sur différentes jonctions imitant les dispositifs OxRAM.