Screening of the piezoelectric field in CdTe/CdMnTe quantum wells: a study of the dynamics
Ecrantage du champ piezo-electrique dans les puits quantiques CdTe/CdMnTe: etude dynamique
Résumé
Large piezoelectric field appears when strained heterostructures are grown along a polar axis, such as <111> axis in semiconductors with the zinc-blende structure. Its value is a about 10^7 V/m for CdTe/CdMnTe quantum wells we studied. This field strongly modifies the band structure and tends to spacially separate electrons and holes. The fondamental transition energy is then red shifted (typically 50 meV)
Lorsqu'une hétérostructure contrainte est élaborée avec un axe polaire comme direction de croissance - par exemple <111> pour les semi-conducteurs à structure zinc-blende - less déormations induisent un champ piézo-électrique qui, dans les strutures CdTe/CdMnTe étudiées ici, est de l'ordre de 10^7 V/m dans le puits quantique. Ce champ modifie localement la structure de bande et tend à séparer spatialement les électrons et les trous. Il en résulte un décalage vers le rouge de la transition fondamentale électron-trou (typiquement quelques dizaines de meV).
Domaines
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