Ce manuscrit étudie le potentiel des thyristors de type IGCT pour les convertisseurs multiniveaux modulaires (MMC). Après une analyse théorique des avantages des IGCTs au regard de leurs niveaux de pertes, nous étudions leur fonctionnement en commutation de manière expérimentale. En particulier, nous nous concentrons sur la réduction/suppression de l’inductance de limitation di/dt pour IGCTs et du clamp RCD en utilisant des diodes rapides en silicium (Si) et des diodes en carbure de silicium (SiC) dans les sous-modules MMC. Cette étude vise à explorer les pistes d’amélioration pour le MMC, en se concentrant sur l’utilisation de différents semi-conducteurs dans le sous-module MMC. Ce manuscrit de thèse de doctorat contient : • Une analyse des sous-modules de MMC HVDC existants. • Une revue de l’IGCT : structure du semi-conducteur, types et caractéristiques. • Une évaluation de l’intérêt des IGCTs dans les sous-modules MMC HVDC et comparaison des pertes avec les IGBT, en utilisant des facteurs de mérite spécifiques aux MMC créés dans cette thèse. • Une évaluation des travaux sur la réduction de la taille des inductances limitant le di/dt. • Un design de banc d’essais test à double pulse avec une structure spécifique imitant un sous-module MMC. • Une revue et une analyse des modes de défaillance des diodes PiN. • Des tests en double pulse avec diode à récupération rapide dans un module plastique pour tenter de réduire et supprimer l’inductance limitant le di/dt. • Packaging de puces de diodes SiC PiN à haute tension et courant élevé, test avec IGCT dans le même montage,pour tenter de réduire et supprimer l’inductance limite di/dt, et analyser les spécificités de la diode SiC dans ce montage.